擴散爐用作半導體器件和集成電路生產中進行半導體微粒擴散和氧化工藝的設備，是由耐高溫石英材料制成的管狀電阻加熱爐，在其主加熱段，電熱絲均勻環(huán)繞其上，可以完成硼擴散、磷擴散、氧化、退火等半導體材料的實驗與生產工藝。高溫爐

　　作為本例控制對象的擴散爐，其技術指標列舉如下：

　　硅片規(guī)格：4”，6”，8”。

　　溫度控制范圍;350一1250℃，瞬時可達1280℃。

　　恒溫區(qū)長度及精度：≤±1℃/300一800mm，300-1250℃;≤±0.5℃/300一800mm，800一1250℃。

　　爐溫單點穩(wěn)定性：≤±1℃/24h，300—1250℃;≤±0.5℃/24h，800—1250℃.

　　溫度重復性：≤±1℃。

　　升溫速率：O—15℃/min(1000℃以下)。

　　降溫透率，0—4℃/mim。

　　氣路：硼擴散、磷擴散各2路質量流量計，氧化/退火管為3路質量流量汁。

　　凈化工作臺凈化級別：100級(1000級廠房)。

　　它的工作溫度一般為數(shù)百度***千度，要求爐溫在一定的控制范圍內保溫到規(guī)定的時間，而且擴散工藝曲線是多臺階的。

　　目前國內熱擴散爐的控制很多仍然采用半導體器件控制，其缺點是：操作人員勞動強度大;不能自動定時;不能自動從一個溫控區(qū)進入另一個溫控區(qū);無法實現(xiàn)群控;PID參數(shù)不能自動調節(jié);溫控范圍受限。因此半導體行業(yè)需要對熱擴散爐的爐溫和保溫時間實現(xiàn)較精確的計算機控制、對通入擴散源的時間給予指示，而當熱耦斷開和擴散爐絲燒斷時能給予指示和報警，并能將控制結果子以記錄。

　　計算機用于溫度控制，在國內已得到廣泛的府用，實例也很多。例如采用STD總線對熱擴散爐進行控制的系統(tǒng)，以及利用微型計算機作為控制核心的爐溫控制系統(tǒng)。

　　STD總線作為控制核心，顯然在價格上占有明顯優(yōu)勢，由出于它不能以漢字顯示，而月輸入操作較為復雜浙以不能滿足用戶對直觀簡易操作的要求。由于PC在性能提升的向時價格卻在不斷下降，因此在本例的控制系統(tǒng)中，使用的是計算機控制。